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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210713793.6，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组是由杜建华;赵梦;王超璐;黄睿;许程;周丹丹;周琳;顾仁权;郭玉珍设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组在说明书摘要公布了：本发明公开了一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组，该驱动电路的制作方法包括：在基板上形成第一多晶硅层图案；在第一多晶硅层图案上形成具有搭接孔的绝缘层，第一多晶硅层图案在搭接孔处露出；采用沉积非晶硅的同时进行重掺杂工艺，在绝缘层上形成具有导电性的第一预制非晶硅层，第一预制非晶硅层通过搭接孔与第一多晶硅层图案层搭接；将第一预制非晶硅层转化为第一预制多晶硅层，第一预制多晶硅层具有第一沟道预制区以及位于第一沟道预制区两侧的第一导电区，第一导电区在绝缘层上的正投影覆盖搭接孔；对第一沟道预制区进行半导体化，并形成第二多晶硅层图案。该制作方法能够使得第一多晶硅层图案与第二多晶硅层图案有效搭接。

本发明授权一种驱动电路的制作方法、驱动电路及显示模组在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路的制作方法，其特征在于，包括： 在基板上形成第一多晶硅层图案； 在所述第一多晶硅层图案上形成具有搭接孔的绝缘层，所述第一多晶硅层图案在所述搭接孔处露出； 采用沉积非晶硅的同时进行重掺杂的工艺，在所述绝缘层上形成具有导电性的第一预制非晶硅层，所述第一预制非晶硅层通过所述搭接孔与所述第一多晶硅层图案层搭接； 将所述第一预制非晶硅层转化为第一预制多晶硅层，所述第一预制多晶硅层具有第一沟道预制区以及位于所述第一沟道预制区两侧的第一导电区，所述第一导电区在所述绝缘层上的正投影覆盖所述搭接孔； 对所述第一沟道预制区进行半导体化，并形成第二多晶硅层图案，所述第二多晶硅层图案包括由所述第一沟道预制区半导体化后形成的第一沟道以及由所述第一导电区形成的第一电极； 所述对所述第一沟道预制区进行半导体化，包括： 在所述第一预制多晶硅层上形成光刻胶层； 去除所述光刻胶层位于所述第一沟道预制区上的部分，露出所述第一沟道预制区； 采用反向掺杂工艺对所述第一沟道预制区进行半导体化； 去除所述光刻胶层。

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