买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于AlPN/GaPN异质结的CMOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210762293.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权基于AlPN/GaPN异质结的CMOS晶体管及其制备方法是由陈楷;张雅超;姚一昕;张进成;马佩军;郝跃设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于AlPN/GaPN异质结的CMOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于AlPNGaPN异质结的CMOS晶体管及其制备方法，所述晶体管包括自下而上依次设置的衬底、第一AlN层、第二AlN层、GaN缓冲层以及SiN隔离层，其中，SiN隔离层上开设有P‑HEMT有源区凹槽和N‑HEMT有源区凹槽；P‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有第一AlPN势垒层、第一GaPN沟道层和第一GaN帽层；N‑HEMT有源区凹槽内自下而上依次设置有第二GaPN沟道层、第二AlPN势垒层和第二GaN帽层；第一GaN帽层上表面设置有相互间隔的第一源极、第一漏极和第一栅极；在第二GaN帽层上表面设置有相互间隔的第二源极、第二漏极和第二栅极。本发明的AlPNGaPN异质结可以实现晶格匹配，异质结的面内应力均可得到有效缓解，能够有效提升二维电子气的电学性能。

本发明授权基于AlPN/GaPN异质结的CMOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于AlPNGaPN异质结的CMOS晶体管，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底1、第一AlN层2、第二AlN层3、GaN缓冲层4以及SiN隔离层5，其中， 所述SiN隔离层5上开设有P-HEMT有源区凹槽6和N-HEMT有源区凹槽9，所述P-HEMT有源区凹槽6和所述N-HEMT有源区凹槽9从所述SiN隔离层5的上表面延伸至GaN缓冲层4的上表面； 所述P-HEMT有源区凹槽6内自下而上依次设置有第一AlPN势垒层7、第一GaPN沟道层8和第一GaN帽层12；所述N-HEMT有源区凹槽9内自下而上依次设置有第二GaPN沟道层10、第二AlPN势垒层11和第二GaN帽层13； 所述第一GaN帽层12上表面设置有相互间隔的第一源极14、第一漏极15和第一栅极16；在所述第二GaN帽层13上表面设置有相互间隔的第二源极17、第二漏极18和第二栅极19； 所述第一AlN层2的生长温度低于所述第二AlN层3的生长温度，所述第一AlN层2的生长温度为1050℃-1150℃，所述第二AlN层3的生长温度为1150℃-1250℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710071 陕西省西安市太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。