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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器器件及其编程操作获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115331720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211021749.5，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器器件及其编程操作是由万维俊设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器器件及其编程操作在说明书摘要公布了：一种存储器器件包括在列和行中的存储器单元阵列、分别耦合到行的字线、分别耦合到列的位线、以及通过位线和字线耦合到存储器单元阵列并且被配置为基于当前数据页对选择行进行编程的外围电路。外围电路包括分别耦合到位线的页缓冲器电路。每个页缓冲器电路包括高速缓存存储单元、多用途存储单元和N‑1个数据存储单元。高速缓存存储单元被配置为依次接收当前数据页的N个位以及下一数据页的N个位，并且依次存储当前数据页的N个位中的一位以及下一数据页的N个位中的每一位。多用途存储单元被配置为依次存储非数据页信息和下一数据页的N个位中的一位。数据存储单元均被配置为存储当前数据页的N个位中的相应的一位。

本发明授权存储器器件及其编程操作在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，其特征在于，包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列在多个列和多个行中； 多条字线，所述多条字线分别耦合到所述存储器单元的行； 多条位线，所述多条位线分别耦合到所述存储器单元的所述列；以及 外围电路，所述外围电路通过所述位线和所述字线耦合到所述存储器单元阵列，并且被配置为基于当前数据页对所述存储器单元的所述行中的选择行进行编程，所述数据页包括2N个电平对应的N位数据；所述外围电路包括分别耦合到所述位线的多个页缓冲器电路，每个页缓冲器电路包括： 高速缓存存储单元，所述高速缓存存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，依次接收并存储下一数据页的每一位； 多用途存储单元，所述多用途存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，存储所述下一数据页的一位；以及 N-1个数据存储单元，每个数据存储单元被配置为在基于所述当前数据页对所述选择行进行编程时，存储所述当前数据页中的相应的一位。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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