北京航天微电科技有限公司于海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航天微电科技有限公司申请的专利一种底电极激发式声表面波器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115333498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053474.3，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权一种底电极激发式声表面波器件制备方法是由于海洋;卞玉柱;袁燕;段英丽;时鹏程;冯志博;孟腾飞设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种底电极激发式声表面波器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种底电极激发式声表面波器件制备方法，包括以下步骤：S1.对压电晶圆预处理，在所述压电晶圆上光刻定义电极引出用导通孔的位置；S2.在所述压电晶圆上制备所述导通孔，并在所述导通孔内进行种子层溅射后，在所述导通孔内进行电镀填充；S3.对所述压电晶圆表面进行抛光，并进行表面修平；S4.在所述压电晶圆上套刻图形，使其所述图形与所述导通孔重合，所述图形包括电极结构和叉指换能器结构；S5.在所述压电晶圆上表面沉淀绝缘层；S6.将所述压电晶圆与衬底晶圆进行表面预处理，增加其活性后采用常温晶圆直接键合的方式进行键合。本发明用于制备声表面波器件，减少声表面波器件受到外部环境的影响，提高声表面器件的高集成化需求。
本发明授权一种底电极激发式声表面波器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.对压电晶圆预处理，在所述压电晶圆上光刻定义电极引出用导通孔的位置； S2.在所述压电晶圆上制备所述导通孔，并在所述导通孔内进行种子层溅射后，在所述导通孔内进行电镀填充； S3.对所述压电晶圆表面进行抛光，并进行表面修平； S4.在所述压电晶圆上套刻图形，使其所述图形与所述导通孔重合，所述图形包括电极结构和叉指换能器结构； S5.在所述压电晶圆上表面沉淀绝缘层； S6.将所述压电晶圆与衬底晶圆进行表面预处理，增加其活性后采用常温晶圆直接键合的方式进行键合； S7.对所述衬底晶圆的压电层结构处减薄，并进行抛光和表面修平； S8.在所述电极结构处制备凸点下金属化层，并在带有所述凸点下金属化层的晶圆表面制备焊点。
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