联华电子股份有限公司张明华获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110527145.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制作方法是由张明华;苏柏文;叶治东设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包括一基底，一叠层结构位于该基底上，一绝缘层位于该叠层结构上，一钝化层位于该绝缘层上，以及一接触结构穿过该钝化层及该绝缘层并直接接触该叠层结构，其中该绝缘层包括一延伸部自该钝化层的一侧壁凸出并且邻接该叠层结构与接触结构接触的一表面。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 基底； 叠层结构，位于该基底上； 绝缘层，位于该叠层结构上； 钝化层，位于该绝缘层上；以及 采用含氟F气体，并且不含氯Cl气体的蚀刻制作工艺形成穿过该钝化层及该绝缘层并暴露出该叠层结构的开口， 接触结构，位于该开口并直接接触该叠层结构，其中该绝缘层包括延伸部，自该钝化层的侧壁凸出并且邻接该叠层结构与接触结构接触的表面，其中该接触结构的衬层直接覆盖该延伸部的底面和顶面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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