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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种电压调谐有源电感获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347879B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210863879.7，技术领域涉及：H03H11/48；该发明授权一种电压调谐有源电感是由张万荣;任衍贵;那伟聪;吴银烽;王晓雪;高文静;李楠星设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电压调谐有源电感在说明书摘要公布了：一种电压调谐有源电感，由第一跨导单元1，第二跨导单元2，第三跨导单元3，有源反馈电阻单元4，有源反馈电容单元5，分流单元6，第一直流偏置单元7，第二直流偏置单元8共八个单元构成。八个单元的分工和协作，可分别实现如下六种电感综合性能：在高频工作区，具有大电感值且电感值相对于Q值可大范围独立调节；在高频工作区，具有高Q值且Q值相对于电感值可大范围独立调节；在对工作频带进行大范围调节时，Q峰值可保持基本不变；在对Q峰值进行大范围调节时，工作频带可保持基本不变；在对工作频带进行大范围调节时，电感峰值可保持基本不变；在对电感峰值进行大范围调节时，工作频带可保持基本不变。

本发明授权一种电压调谐有源电感在权利要求书中公布了：1.一种电压调谐有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元1，第二跨导单元2，第三跨导单元3，有源反馈电阻单元4，有源反馈电容单元5，分流单元6，第一直流偏置单元7，第二直流偏置单元8； 第一跨导单元1包括第一N型MOS晶体管M1和具有第一电压调制端Vtune1的第二N型MOS晶体管M2；第二跨导单元2包括第三N型MOS晶体管M3；第三跨导单元3包括第五N型MOS晶体管M5和具有电压偏置端VB的第四N型MOS晶体管M4；有源反馈电阻单元4包括第一无源电阻R1和具有第二电压调制端Vtune2的第六N型MOS晶体管M6；有源反馈电容单元5包括具有第三电压调制端Vtune3的第七N型MOS晶体管M7；分流单元6包括具有第四电压调制端Vtune4的第八P型MOS晶体管M8；第一直流偏置单元7包括具有第五电压调制端Vtune5的第九N型MOS晶体管M9；第二直流偏置单元8包括第十P型MOS晶体管M10、第十一P型MOS晶体管M11和第二无源电阻R2； 所述有源电感的输入端Vin同时连接第一N型MOS晶体管M1的栅极、第三N型MOS晶体管M3的源极、第五N型MOS晶体管M5的栅极以及第九N型MOS晶体管M9的漏极；第一N型MOS晶体管M1的源极与地端GND相连，第一N型MOS晶体管M1的漏极同时与第二N型MOS晶体管M2的源极以及第八P型MOS晶体管M8的漏极相连；第二N型MOS晶体管M2的栅极与第一电压调制端Vtune1相连，第二N型MOS晶体管M2的漏极同时连接第四N型MOS晶体管M4的漏极、第十一P型MOS晶体管M11的漏极、第六N型MOS晶体管M6的源极以及第一无源电阻R1的第一端；第三N型MOS晶体管M3的漏极与电源端VDD相连，第三N型MOS晶体管M3的栅极同时连接第六N型MOS晶体管M6的漏极、第一无源电阻R1的第二端以及第七N型MOS晶体管M7的栅极；第四N型MOS晶体管M4的栅极与电压偏置端VB相连，第四N型MOS晶体管M4的源极与第五N型MOS晶体管M5的漏极相连；第五N型MOS晶体管M5的源极与地端GND相连；第六N型MOS晶体管M6的栅极与第二电压调制端Vtune2相连；第七P型MOS晶体管M7的源极、漏极以及衬底均与第三电压调制端Vtune3相连；第八P型MOS晶体管M8的栅极与第四电压调制端Vtune4相连，第八P型MOS晶体管M8的源极与电源端VDD相连；第九N型MOS晶体管M9的源极与地端GND相连，第九N型MOS晶体管M9的栅极与第五电压调制端Vtune5相连；第十P型MOS晶体管M10的源极与电源端VDD相连，第十P型MOS晶体管M10的栅极同时连接第十P型MOS晶体管M10的漏极、第十一P型MOS晶体管M11的栅极和第二无源电阻R2的第一端；第十一P型MOS晶体管M11的源极与电源端VDD相连；第二无源电阻R2的第二端与地端GND相连。

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