三菱电机株式会社中田和成获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法及电力转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115349177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025233.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法及电力转换装置是由中田和成设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法及电力转换装置在说明书摘要公布了：本公开的目的在于提供一种即使施加应力也不容易破坏的沟槽栅型的电力用半导体装置。SiC‑MOSFET101具备：SiC基板1；漂移层2，其形成在SiC基板1上，是第一导电型；基极区域3，其形成在漂移层2的表层，且是与第一导电型不同的第二导电型；源极区域4，其选择性地形成在基极区域3的表层，是第一导电型；沟槽19，其贯通基极区域3和源极区域4并到达漂移层2；栅电极7，其嵌入到沟槽19内，在上表面具有V字型的槽7a；以及氧化膜8，其形成在栅电极7的包含槽7a的上表面。
本发明授权电力用半导体装置、电力用半导体装置的制造方法及电力转换装置在权利要求书中公布了：1.一种电力用半导体装置，其中，具备： SiC基板； 漂移层，其形成在所述SiC基板上，是第一导电型； 第一杂质区域，其形成在所述漂移层的表层，是与所述第一导电型不同的第二导电型； 第二杂质区域，其选择性地形成在所述第一杂质区域的表层，是所述第一导电型； 沟槽，其贯通所述第一杂质区域和所述第二杂质区域并到达所述漂移层； 栅电极，其嵌入到所述沟槽内，在上表面具有尖锐状的V字型的槽；以及 氧化膜，其通过热氧化法形成在所述栅电极的包含所述槽的上表面， 所述V字型的槽的底部比所述第一杂质区域深。
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