长鑫存储技术有限公司楚西坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器的测试方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211037967.8，技术领域涉及：G11C29/36；该发明授权存储器的测试方法、装置、设备及介质是由楚西坤设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的测试方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种存储器的测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。该方法包括：针对存储器中的测试存储阵列进行至少一次读写操作测试，其中，在每次读写操作测试中，执行如下步骤：获取本次读写操作测试所对应的读写时序图，其中，读写时序图为本次读写操作所对应的控制信号序列的时序图，各阶段中的预充电阶段的实际预充电时长为本次读写操作测试所对应的测试预充电时长；根据读写时序图和预设异常判定条件，确定本次读写操作测试的测试结果，测试结果用于表征存储器在测试预充电时长下是否发生因待机模式造成的读写异常。根据本公开实施例，能够准确测试待机模式对存储器读写的影响。
本发明授权存储器的测试方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种存储器的测试方法，其特征在于，所述方法包括： 针对存储器中的测试存储阵列进行至少一次读写操作测试，其中，每次读写功能测试对应一个测试预充电时长， 其中，在每次读写操作测试中，执行如下步骤： 获取本次读写操作测试所对应的读写时序图，其中，所述读写时序图为本次读写操作所对应的控制信号序列的时序图，所述控制信号序列包括在本次读写测试中各阶段对应的脉冲信号，各阶段的脉冲信号用于指示所述测试存储阵列进入该阶段，所述各阶段中的预充电阶段的实际预充电时长为所述本次读写操作测试所对应的测试预充电时长； 根据所述读写时序图和预设异常判定条件，确定本次读写操作测试的测试结果，所述测试结果用于表征所述存储器在所述测试预充电时长下是否发生因待机模式造成的读写异常。
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