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龙图腾网获悉邱志威申请的专利晶体管下具有电源连接结构的半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376994B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210509287.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权晶体管下具有电源连接结构的半导体结构及其制造方法是由邱志威;陈维志设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶体管下具有电源连接结构的半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：一种晶体管下具有电源连接结构的半导体结构的制造方法包含：形成停止层结构于半导体基板内，将其分为基板第一部分及基板第二部分；形成多个停止部于基板第一部分内且邻近主动面；于主动面设置晶体管元件，晶体管元件的接点部对应停止部；移除基板第二部分及停止层结构；形成具有第一图案化开口的第一图案化掩模层于基板第一部分的底面，第一图案化开口对应停止部；在基板第一部分形成贯穿的开槽，经由开槽显露接点部；形成保护层覆盖开槽的侧壁；形成导电层覆盖接点部；形成电源连接结构于开槽内。此制造方法具有灵活性而可提升装置性能。

本发明授权晶体管下具有电源连接结构的半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管下具有电源连接结构的半导体结构的制造方法，其特征在于，包含： 提供一半导体基板，具有相对的一主动面及一背面； 形成一停止层结构于该半导体基板内，将该半导体基板分为一基板第一部分及一基板第二部分，其中该基板第一部分位于该停止层结构及该主动面之间，该基板第二部分位于该停止层结构及该背面之间； 形成一图案化停止层于该基板第一部分内，且邻近该主动面，该图案化停止层包含多个停止部； 于该主动面设置一主动层，该主动层包含至少一晶体管元件以及一内连层，该内连层覆盖该至少一晶体管元件，该至少一晶体管元件包含至少一接点部，该至少一接点部对应该些停止部的至少其中的一个； 进行一薄化制程，以移除该基板第二部分及该停止层结构，使该基板第一部分露出一底面位于该主动面的相对侧； 形成一第一图案化掩模层于该底面，该第一图案化掩模层包含多个第一图案化开口，该些第一图案化开口分别对应该些停止部； 对应该些第一图案化开口，在该基板第一部分形成多个开槽，该些开槽贯穿该基板第一部分，每一该些开槽包含相对两侧壁及一贯穿开口端，经由该贯穿开口端显露该主动层的该至少一晶体管元件的该至少一接点部； 形成一保护层，覆盖该基板第一部分的该底面以及每一该些开槽的该两侧壁； 形成一导电层，覆盖经由每一该些开槽所显露的该至少一接点部； 形成一电镀晶种层，覆盖该保护层及该导电层；以及 形成多个电源连接结构分别位于该些开槽的该电镀晶种层上，其中，该些电源连接结构分别填满该些开槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人邱志威，其通讯地址为：中国台湾新竹县竹北市六家七路18号2楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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