三星电子株式会社黄瑄珪获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210047021.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高电子迁移率晶体管是由黄瑄珪;吴在浚;金钟燮设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：一种高电子迁移率晶体管HEMT包括在其中形成沟道的有源区和围绕有源区的场区。HEMT可以包括：沟道层；阻挡层，在沟道层上并被配置为在沟道层中感应二维电子气2DEG；在有源区中在阻挡层上的源极和漏极；以及在阻挡层上的栅极。栅极可以在阻挡层上从有源区突出到场区。栅极可以包括第一栅极和第二栅极。第一栅极可以在有源区中，第二栅极可以在有源区和场区之间的边界区中。第二栅极的功函数可以不同于第一栅极的功函数。
本发明授权高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，包括在其中形成沟道的有源区和围绕所述有源区的场区，所述高电子迁移率晶体管包括： 沟道层； 阻挡层，在所述沟道层上并被配置为在所述沟道层中感应二维电子气； 在所述有源区中在所述阻挡层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极在第一方向上彼此间隔开；以及 在所述阻挡层上的栅极，所述栅极从所述有源区突出到所述场区，其中 所述栅极包括第一栅极和第二栅极， 所述第一栅极在所述有源区中， 所述第二栅极在所述有源区和所述场区之间的所述高电子迁移率晶体管的边界区中， 所述第二栅极的第一侧壁和第二侧壁在第二方向上彼此相对，所述第二方向与所述第一方向交叉， 所述第一栅极在所述有源区上方的位置处与所述第二栅极的所述第一侧壁接触， 所述第二栅极的功函数不同于所述第一栅极的功函数，以及 所述第一栅极接触所述第二栅极的所述第二侧壁。
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