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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利存储器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211137948.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权存储器件的形成方法是由王宁;张可钢设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件的形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器件的形成方法，包括：提供衬底；在部分所述衬底上形成选择栅结构，所述选择栅结构包括选择栅极和位于所述选择栅极顶部的第一硬掩膜层；在所述选择栅结构侧壁形成以所述选择栅结构的中轴线为轴线相互对称分布的两个存储栅结构，各所述存储栅结构包括存储栅极，所述存储栅极顶部表面高于所述选择栅极顶部表面；去除所述第一硬掩膜层，在两个存储栅结构之间形成开口；在所述开口暴露出的两个存储栅结构侧壁形成第一侧墙，有利于提高所述存储栅极和所述选择栅极的隔离，减少存储栅极和选择栅极之间的漏电情况。

本发明授权存储器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区； 在所述衬底上形成选择栅材料层和位于所述选择栅材料层上的硬掩膜材料层； 图形化所述存储区上的所述硬掩膜材料层，形成第一硬掩膜层； 以所述第一硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述选择栅材料层，形成所述选择栅极，以在所述存储区上形成选择栅结构，所述选择栅结构包括所述选择栅极和位于所述选择栅极顶部的所述第一硬掩膜层； 在所述选择栅结构侧壁形成以所述选择栅结构的中轴线为轴线相互对称分布的两个存储栅结构，各所述存储栅结构包括存储栅极，所述存储栅极顶部表面高于所述选择栅极顶部表面，以所述选择栅结构和所述两个存储栅结构为存储单元； 在所述存储单元两侧的所述衬底内注入第一掺杂离子，以形成第一源漏层； 在所述存储单元侧壁形成第四侧墙； 在形成所述第一源漏层之后，图形化所述逻辑区上的所述硬掩膜材料层，形成第二硬掩膜层； 以所述第二硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述选择栅材料层，直到暴露出所述衬底表面，以在所述逻辑区上形成逻辑栅极； 在形成所述逻辑栅极之后，且在形成第四侧墙之后，去除所述第一硬掩膜层，在两个存储栅结构之间形成开口； 在所述开口暴露出的两个存储栅结构侧壁形成第一侧墙。

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