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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利分栅快闪存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210433816.8，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法是由王旭峰;于涛;李冰寒设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本分栅快闪存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括由下至上排列的浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述浮栅的部分顶面；源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间，且包括电性连接的两个第一部分和位于两个所述第一部分之间的第二部分，每个所述第一部分覆盖对应的所述浮栅的剩余顶面并向上延伸至覆盖对应的所述擦除栅的侧面，且所述第二部分覆盖所述衬底；源区，位于所述第二部分下方的所述衬底内，且与所述第二部分电性连接。本发明简化了互连工艺和制备工艺、降低源极接触电阻及利于缩小分栅快闪存储单元面积。

本发明授权分栅快闪存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括： 衬底； 第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括由下至上排列的浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述浮栅的部分顶面； 源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间，且包括电性连接的两个第一部分和位于两个所述第一部分之间的第二部分，每个所述第一部分覆盖对应的所述浮栅的部分顶面并向上延伸至覆盖对应的所述擦除栅的侧面，且所述第二部分覆盖所述衬底； 源区，位于所述第二部分下方的所述衬底内，且与所述第二部分电性连接； 其中，所述第一分栅结构和所述第二分栅结构还均包括第一侧墙，所述第一侧墙覆盖所述擦除栅的顶面及所述擦除栅和所述浮栅靠近所述源线层的侧面，所述第一侧墙包括第一子侧墙、第二子侧墙和第三子侧墙，所述第一子侧墙覆盖所述擦除栅的顶面，所述第二子侧墙覆盖所述擦除栅靠近所述源线层的侧面及所述浮栅的部分顶面，且所述第一部分覆盖所述第二子侧墙，所述第三子侧墙覆盖所述浮栅靠近所述第二部分的侧面。

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