美光科技公司松原安士获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元和存储器单元阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211013284.9，技术领域涉及：G11C11/22；该发明授权存储器单元和存储器单元阵列是由松原安士设计研发完成，并于2018-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元和存储器单元阵列在说明书摘要公布了：本公开涉及存储器单元和存储器单元阵列。一种存储器单元包括第一、第二、第三和第四晶体管，所述第一、第二、第三和第四晶体管个别地包括晶体管栅极。第一和第二铁电电容器个别地具有竖向地介于所述第一、第二、第三和第四晶体管的所述晶体管栅极之间的一个电容器电极。公开了其它存储器单元，正如存储器单元的阵列一样。
本发明授权存储器单元和存储器单元阵列在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，其包括： 第一晶体管和第二晶体管，其安置于衬底上方的第一高度； 第三晶体管和第四晶体管，其安置于所述衬底上方的第二高度； 第一柱，其竖向延伸穿过所述第一晶体管和所述第三晶体管，所述第一晶体管的沟道区和所述第三晶体管的沟道区设置在所述第一柱内； 第二柱，其竖向延伸穿过所述第二晶体管和所述第四晶体管，所述第二晶体管的沟道区和所述第四晶体管的沟道区设置在所述第二柱内； 第一和第二铁电电容器，所述第一铁电电容器的电容器电极在所述第一柱内且在所述第一晶体管和所述第三晶体管之间竖向延伸，且所述第二铁电电容器的电容器电极在所述第二柱内且在所述第二晶体管和所述第四晶体管之间竖向延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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