长鑫存储技术有限公司何迪获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利芯片修补方法及装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211075061.5，技术领域涉及：G11C29/00；该发明授权芯片修补方法及装置、电子设备和存储介质是由何迪设计研发完成，并于2022-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片修补方法及装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种芯片修补方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，该方法包括：获取目标芯片，对目标芯片进行多验证单元测试，得到第一测试通过芯片；对第一测试通过芯片进行单验证单元测试，得到测试失效芯片；测试失效芯片包括部分失效芯片；获取部分失效芯片中失效单元对应的失效单元地址；获取预先配置的冗余单元，基于冗余单元与失效单元地址的相邻地址对部分失效芯片进行修补处理。本公开对于多验证单元测试通过且单验证单元测试失败的失效单元，采用冗余单元与失效单元地址的相邻地址对失效单元进行修补，可以提高相关区域数据存储的稳定性，最大化利用bit资源或晶粒资源。
本发明授权芯片修补方法及装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片修补方法，其特征在于， 包括： 获取目标芯片，对所述目标芯片进行多验证单元测试，得到第一测试通过芯片； 对所述第一测试通过芯片进行单验证单元测试，得到测试失效芯片； 所述测试失效芯片包括部分失效芯片； 获取所述部分失效芯片中失效单元对应的失效单元地址； 获取预先配置的冗余单元，基于所述冗余单元与所述失效单元地址的相邻地址对所述部分失效芯片进行修补处理； 其中，所述对所述目标芯片进行多验证单元测试，得到第一测试通过芯片，包括： 获取预先配置的验证单元数量； 确定所述目标芯片包含的多个地址线； 基于多个所述地址线与所述验证单元数量，对所述目标芯片进行所述多验证单元测试，得到所述第一测试通过芯片；所述验证单元数量是所述多验证单元测试过程中作为一个总验证单元中包含的最小粒度的验证单元的数量。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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