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龙图腾网获悉西华大学申请的专利一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115459753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139132.3，技术领域涉及：H03K17/082；该发明授权一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路是由贺江平;王宁;蒋一铭设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路，包括支路A、支路B和支路C；所述支路A包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2，所述支路B包括第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3、第一电阻R1和第二电阻R2，所述支路C包括功率MOS管M0。本发明提供的局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路，通过局部反馈能使didt有效地减小。

本发明授权一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路在权利要求书中公布了：1.一种局部反馈推挽式驱动功率MOSFET电路，其特征在于：包括支路A、支路B和支路C； 所述支路A包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2，所述第一PMOS管MP1的源极连接供电端，第一PMOS管MP1的漏极与第二PMOS管MP2的源极连接，第二PMOS管MP2的漏极与第二NMOS管MN2的漏极连接，第二NMOS管MN2的源极与第一NMOS管MN1的漏极连接，第一NMOS管MN1的源极接地；所述第二PMOS管MP2和第二NMOS管MN2的栅极连接，且连接的公共端与驱动输入端口DRV连接；所述第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN1的栅极连接；所述第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN1栅极的公共端，与所述第二PMOS管MP2和第二NMOS管MN2漏极的公共端连接； 所述支路B包括第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3、第一电阻R1和第二电阻R2；所述第三PMOS管MP3的源极连接到所述供电端，第三PMOS管MP3的漏极依次通过第一电阻R1和第二电阻R2连接到第三NMOS管MN3的漏极，所述第三NMOS管MN3的源极与所述第一NMOS管MN1的源极连接后公共端接地；所述第三PMOS管MP3和第三NMOS管MN3的栅极相连，且连接的公共端与驱动输入端口连接，所述第一电阻R1和第二电阻R2的公共端，与第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN1栅极的公共端连接； 所述支路C包括功率MOS管M0，所述功率MOS管M0的栅极连接到第一电阻R1和第二电阻R2的公共端，功率MOS管M0的源极接地，漏极连接到输出端口Drain。

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