中国电子科技集团公司第五十五研究所杨扬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211127896.0，技术领域涉及：H10K30/20；该发明授权一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器及其制备方法是由杨扬;张勇;霍帅;李忠辉;孔月婵;陈堂胜;王浩澜设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用碳纳米角的碳基可见‑红外光电探测器及其制备方法，包括衬底、位于衬底上的复合碳基薄膜、源电极、漏电极；所述复合碳基薄膜包括先后沉积的碳纳米管网络或阵列薄膜以及碳纳米角；所述漏电极位于所述复合碳基薄膜上或位于所述复合碳基薄膜与所述衬底之间，所述源电极位于所述复合碳基薄膜上或位于所述复合碳基薄膜与所述衬底之间。本发明的优势在于：1碳纳米角具有良好的导电性有利于光生载流子的输运；2碳纳米角结构对红外光具有较好的吸收；3器件制作简单，传统半导体工艺兼容。
本发明授权一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用碳纳米角的碳基可见-红外光电探测器，其特征在于：包括衬底、位于衬底上的复合碳基薄膜、源电极和漏电极；所述复合碳基薄膜包括先后沉积的碳纳米管网络或阵列和碳纳米角；所述漏电极位于所述复合碳基薄膜上或位于所述复合碳基薄膜与所述衬底之间，所述源电极位于所述复合碳基薄膜上或位于所述复合碳基薄膜与所述衬底之间；所述复合碳基薄膜包括上下交错叠层的碳纳米管阵列和碳纳米角，且碳纳米管阵列与碳纳米角的质量比为1～100000:1～100000；还包括栅电极，所述栅电极设置在碳纳米管之上或者之下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十五研究所，其通讯地址为：210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励