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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211123380.9，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成初始结构，所述初始结构包括位于衬底上的初始第一材料层以及初始掩膜结构，所述初始第一材料层的材料包括多晶硅；在所述初始结构上形成光刻图形层；以所述光刻图形层为掩膜，通过一步刻蚀工艺刻蚀所述初始第一材料层与初始掩膜结构，在所述初始结构内形成初始开口，所述一步刻蚀工艺对所述初始掩膜结构的刻蚀速率与初始第一材料层的刻蚀速率的比值范围为1～1.2，使所述初始第一材料层和初始掩膜结构成为第一材料层和掩膜结构，所述初始开口暴露出所述衬底表面。所述半导体结构的形成方法提升了刻蚀工艺中光刻图形层的完整性，改善了刻蚀工艺窗口以及刻蚀完成后的结构形貌。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成初始结构，所述初始结构包括位于衬底上的初始第一材料层以及初始掩膜结构，所述初始第一材料层的材料包括多晶硅； 在所述初始结构上形成光刻图形层； 以所述光刻图形层为掩膜，通过一步刻蚀工艺刻蚀所述初始第一材料层与初始掩膜结构，在所述初始结构内形成初始开口，所述一步刻蚀工艺对所述初始掩膜结构的刻蚀速率与初始第一材料层的刻蚀速率的比值范围为1~1.2，使所述初始第一材料层和初始掩膜结构成为第一材料层和掩膜结构，所述初始开口暴露出所述衬底表面； 所述初始结构还包括：位于所述衬底与初始第一材料层之间的初始第一氧化层；所述一步刻蚀工艺还同时刻蚀所述初始第一氧化层；刻蚀气体对于初始第一氧化层的刻蚀速率与刻蚀气体对于衬底的刻蚀速率相近；所述初始开口的底部表面低于所述衬底顶部表面；所述初始第一氧化层的材料为氧化硅； 所述初始掩膜结构包括位于初始第一材料层顶部表面的初始第一掩膜层、以及位于所述初始第一掩膜层顶部表面的初始第二掩膜层；所述初始第一掩膜层的材料包括氮化硅；所述初始第二掩膜层的材料包括氧化硅； 所述一步刻蚀工艺采用的气体的碳氟比范围为0.7~1.3；主刻蚀气体为SF6；保护气体为CH2F2。

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