上海华虹宏力半导体制造有限公司张振兴获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211185603.4，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构及其制造方法是由张振兴设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，由于依次采用两次刻蚀工艺刻蚀氧化层以形成沟槽，同时两次刻蚀工艺采用50mT～100mT的高压。进而使得刻蚀过程中的等离子体具有横向刻蚀的能力，不仅能够去除残留聚合物，同时可以使等离子体在反应腔里产生更多碰撞，以减少轰击能量，改善刻蚀的均匀性，以避免器件失效。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于， 提供衬底； 在所述衬底上依次形成金属层和氧化层，所述氧化层的顶部具有缺口，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，其中第一氧化层内具有开口，第二氧化层形成在第一氧化层顶表面上并填充部分开口以形成所述缺口； 对所述氧化层依次执行第一刻蚀工艺、泵出工艺和第二刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺以刻蚀所述氧化层并扩大所述缺口以形成至少贯穿所述氧化层的沟槽，其中，所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺的压力范围为：50mT～100mT，所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺均为干法刻蚀工艺；所述泵出工艺以将在执行所述第一刻蚀工艺过程中，形成在所述沟槽内的聚合物抽离所述沟槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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