株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社大川峰司获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利制造氮化物半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210677495.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权制造氮化物半导体器件的方法是由大川峰司;渡边健太设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造氮化物半导体器件的方法在说明书摘要公布了：一种氮化物半导体器件的制造方法，包括：将p型杂质引入到第一氮化物半导体层14的上层部分的至少一部分中以形成p型杂质引入区16；从第一氮化物半导体层14的上表面形成第二氮化物半导体层18以包括所述p型杂质引入区16；以及在所述第一氮化物半导体层14上形成所述第二氮化物半导体层18的状态下进行退火处理。
本发明授权制造氮化物半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体器件的制造方法，所述制造方法包括： p型杂质引入步骤，将p型杂质引入到第一氮化物半导体层的上层部分的至少一部分中以形成p型杂质引入区； 成膜步骤，从所述第一氮化物半导体层的上表面形成第二氮化物半导体层以包括所述p型杂质引入区，所述第二氮化物半导体层共格生长并形成，其中，在所述成膜步骤中，通过堆叠具有不同组成比例的氮化物半导体层来形成所述第二氮化物半导体层； 退火处理步骤，在所述第一氮化物半导体层和所述p型杂质引入区上形成所述第二氮化物半导体层的状态下进行退火处理，并且所述p型杂质引入区位于所述第一氮化物半导体层的二维电子气层中；以及 在所述退火处理步骤之后去除第二氮化物半导体层的去除步骤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社，其通讯地址为：日本爱知县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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