北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司孔德玺获国家专利权
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龙图腾网获悉北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211169867.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器是由孔德玺;李成;周琳;张洁;程锦;陈紫霄;黄根;崔颂;彭志良;王迎姿设计研发完成，并于2022-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器。短波红外焦平面传感器包括TFT背板和设于其上的胶体量子点光电转换层，胶体量子点光电转换层在TFT背板上的正投影覆盖TFT背板的感应区，并用于感应短波红外光。TFT背板包括衬底基板，以及设置于衬底基板的感应区的薄膜晶体管层；薄膜晶体管层设置在衬底基板和胶体量子点光电转换层之间，且包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一个像素。胶体量子点光电转换层朝向TFT背板的一侧设有多个偏置电极，背向TFT背板的一侧设有公共电极。每个偏置电极对应一个薄膜晶体管；公共电极覆盖胶体量子点光电转换层，公共电极与偏置电极同种材料制作。
本发明授权短波红外焦平面传感器及其制作方法、短波红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种短波红外焦平面传感器，其特征在于，包括TFT背板和设于TFT背板上的胶体量子点光电转换层，所述胶体量子点光电转换层在所述TFT背板上的正投影覆盖所述TFT背板的感应区，所述胶体量子点光电转换层用于感应短波红外光； 所述TFT背板包括衬底基板，以及设置于所述衬底基板的感应区的薄膜晶体管层；所述薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板和所述胶体量子点光电转换层之间，且所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管对应一个像素； 所述胶体量子点光电转换层，朝向所述TFT背板的一侧设有多个偏置电极，每个所述偏置电极对应一个所述薄膜晶体管；所述胶体量子点光电转换层背向所述TFT背板的一侧设有公共电极，所述公共电极覆盖所述胶体量子点光电转换层，所述公共电极与所述偏置电极采用同种材料制作，以使所述公共电极与所述偏置电极通过所述胶体量子点光电转换层导通。
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