上海华力微电子有限公司孙卓获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利CMOS图像传感器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528054B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211192978.3，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权CMOS图像传感器的形成方法是由孙卓;李晓玉设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供衬底；在衬底内形成光电二极管区，刻蚀光电二极管区，以在光电二极管区内形成沟槽；在衬底的表面形成第一氧化层，第一氧化层同时覆盖沟槽的底壁和沟槽的侧壁；去除第一氧化层；在衬底的表面形成第二氧化层，第二氧化层同时覆盖沟槽的底部和沟槽的侧壁；在所述沟槽内形成垂直栅；向所述垂直栅内填充掺杂了碳和磷的多晶硅。第一氧化层弥补了刻蚀沟槽时沟槽侧壁的缺陷，形成第二氧化层时，氧化层质量较好，提高了后续在沟槽内形成的垂直栅的侧壁的质量。并且向垂直栅内填充掺杂了碳和磷的多晶硅，降低了白色像素点的失效率，提高了CMOS图像传感器的质量。
本发明授权CMOS图像传感器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底内形成光电二极管区，刻蚀所述光电二极管区，以在所述光电二极管区内形成沟槽； 在所述衬底的表面形成第一氧化层，所述第一氧化层同时覆盖所述沟槽的底壁和沟槽的侧壁； 去除所述第一氧化层，以露出所述衬底的表面、所述沟槽的底部和所述沟槽的侧壁； 在所述衬底的表面形成第二氧化层，所述第二氧化层同时覆盖所述沟槽的底部和所述沟槽的侧壁； 在所述沟槽内形成垂直栅；以及 向所述垂直栅内填充掺杂了碳和磷的多晶硅。
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