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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110812549.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由郭帅设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第二表面上设置有晶体管；在基底内形成释放孔，释放孔延伸至晶体管内，且释放孔的孔底位于晶体管的沟道区内，释放孔的顶表面与第一表面齐平；在释放孔内形成导电结构，导电结构延伸至释放孔外，并覆盖基底上方的第一表面。本公开通过在基底中形成与晶体管的沟道区相连通的导电结构，将晶体管中的空穴传递至基底外，避免基底与晶体管之间产生浮栅效应，提高了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供基底，所述基底具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第二表面上设置有晶体管； 在所述基底内形成释放孔，所述释放孔延伸至所述晶体管内，且所述释放孔的孔底位于所述晶体管的沟道区内，所述释放孔的顶表面与所述第一表面齐平； 在所述释放孔内形成导电结构，所述导电结构延伸至所述释放孔外，并覆盖所述基底上方的第一表面； 其中，在所述基底内形成释放孔的步骤，包括： 在所述第一表面上形成掩膜层； 在所述掩膜层上形成光刻胶层，图形化所述光刻胶层，以在所述光刻胶层内形成掩膜图案，所述掩膜图案包括多个第一开口以及用于分隔各所述第一开口的凸起，所述第一开口在所述晶体管的投影位于所述晶体管的源极内； 去除暴露在所述第一开口内的所述掩膜层、所述基底、所述晶体管的源极和所述晶体管的部分沟道区，以形成释放孔； 其中，去除暴露在所述第一开口内的所述掩膜层、所述基底、所述晶体管的源极和所述晶体管的部分沟道区，以形成释放孔的步骤，包括： 在所述第一开口的侧壁上形成氧化层，所述氧化层延伸至所述第一开口外，并覆盖在所述掩膜层的顶面上，位于所述第一开口内的所述氧化层围成第二开口； 去除暴露在所述第二开口的所述掩膜层、所述基底、所述晶体管的源极和所述晶体管的部分沟道区，以形成所述释放孔。

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