江西汉可泛半导体技术有限公司王祥远获国家专利权
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龙图腾网获悉江西汉可泛半导体技术有限公司申请的专利一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211602654.2，技术领域涉及：C23C16/22；该发明授权一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备是由王祥远;董仕轩;刘翠翠设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，包括预抽真空腔体、若干个镀膜腔体、破真空腔体、以及数量均为若干个的自动门、载板驱动组件、抽气系统和发热件，预抽真空腔体和破真空腔体之间设有若干个镀膜腔体，各腔体两侧开口且彼此密封连接，自动门设置在各腔体连接处和预抽真空腔体以及破真空腔体的一侧，载板驱动组件设置在各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，抽气系统用于对各密封腔体抽真空，发热件设置在镀膜腔体上，破真空腔体上设有用于给其内部输入保护气体的供气装置。本发明中，工艺全过程中无氧，且腔室为不锈钢腔体，无硼硅玻璃生成，不会损坏石英件，硼源层制备速率快，效果好，能大规模生产。
本发明授权一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅量产用的表面硼扩散源层制备的设备，其特征在于：包括预抽真空腔体10、若干个镀膜腔体2、破真空腔体3、以及数量均为若干个的自动门4、载板驱动组件5、抽气系统6和发热件7，所述预抽真空腔体10和所述破真空腔体3之间设有若干个所述镀膜腔体2，各腔体两侧开口且彼此密封连接，所述自动门4设置在所述各腔体连接处和所述预抽真空腔体10以及破真空腔体3的一侧，所述载板驱动组件5设置在所述各腔体上用于驱动载板在腔体内移动，所述抽气系统6用于对各密封腔体抽真空，所述发热件7设置在所述镀膜腔体2上，所述破真空腔体3上设有用于给其内部输入保护气体的供气装置，所述镀膜腔体2上设有硼气管，所述硼气管用于通入带有硼元素的气体，所述发热件7通电发热后催化分解带有硼元素的气体而生成不带电的活性硼基团，在晶体硅表面上形成硼扩散源层。
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