长鑫存储技术有限公司池性洙获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利读出电路和数据读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111082971.1，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权读出电路和数据读出方法是由池性洙设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本读出电路和数据读出方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种读出电路和数据读出方法，包括：第一隔离单元被配置为基于隔离信号将位线连接至读出位线；第二隔离单元被配置为基于隔离信号将互补位线连接至互补读出位线；第一PMOS管连接在第一信号端和读出位线之间，且具有连接到互补读出位线的控制端子；第二PMOS管连接在第一信号端和互补读出位线之间，且具有连接到读出位线的控制端子；第一NMOS管连接在第二信号端和位线之间，且具有连接到互补读出位线的控制端子；第二NMOS管连接在第二信号端和互补位线之间，且具有连接到读出位线的控制端子，本申请实施例在不多引入偏移消除MOS管的前提下，以消除读出电路中的偏移噪声，有利于DRAM集成度的提高。
本发明授权读出电路和数据读出方法在权利要求书中公布了：1.一种读出电路，其特征在于，包括： 第一隔离单元，被配置为，基于隔离信号，将位线连接至读出位线； 第二隔离单元，被配置为，基于所述隔离信号，将互补位线连接至互补读出位线； 第一PMOS管，连接在第一信号端和所述读出位线之间，且具有连接到所述互补读出位线的控制端子； 第二PMOS管，连接在所述第一信号端和所述互补读出位线之间，且具有连接到所述读出位线的控制端子； 第一NMOS管，连接在第二信号端和所述位线之间，且具有连接到所述互补读出位线的控制端子； 第二NMOS管，连接在第二信号端和所述互补位线之间，且具有连接到所述读出位线的控制端子； 其中，所述第一信号端用于接收第一电平信号，所述第二信号端用于接收所述第一电平信号或第二电平信号，所述第一电平信号的电压大于所述第二电平信号的电压。
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