电子科技大学李沫获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115842059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310017315.6，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法是由李沫;黄瑞涵;张健;陈飞良;赵海全;魏亚洲设计研发完成，并于2023-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术与微纳真空电子技术领域，具体为一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法。包括衬底以及设置在衬底上表面的第一金属层、第二金属层和电极结构；所述电极结构位于第一金属层和第二金属层之间；包括下电极和桥式上电极；桥式上电极采用能够在外加电压下发生弹性形变的导电材料制成，同轴套设于下电极外，并与下电极之间留有空隙以形成空气沟道。该二极管具有阈值电压低、无绝缘介质支撑、电极重合面积小、极间电容低、空气沟道尺寸可动态调谐等优点，其制备过程不依赖高昂纳米加工设备、可以批量制备的垂直结构纳米空气沟道二极管的制备方法。
本发明授权一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种桥式结构空气沟道二极管，包括衬底以及共面设于衬底上表面的第一金属层、第二金属层和电极结构，其特征在于： 所述电极结构沿衬底平面方向位于第一金属层和第二金属层之间；包括下电极和桥式上电极；桥式上电极采用能够在外加电压下发生弹性形变的导电材料制成，同轴套设于下电极外，并与下电极之间留有空隙以形成空气沟道。
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