半导体元件工业有限责任公司A·L·维拉莫获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利碳化硅半导体晶圆的切割获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115871116B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211596944.0，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权碳化硅半导体晶圆的切割是由A·L·维拉莫设计研发完成，并于2019-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体晶圆的切割在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅半导体晶圆的切割。本发明公开了一种切割碳化硅SiC半导体晶圆的方法，所述方法可包括通过执行部分划切操作来在所述碳化硅SiC半导体晶圆内限定切口，其中所述SiC半导体晶圆沿着平面对准并且所述切口具有小于所述SiC半导体晶圆的第一厚度的深度。所述切口沿着与所述平面正交的竖直方向对准，以使得所述SiC半导体晶圆的一部分具有在所述切口的底部和所述SiC半导体晶圆的外表面之间延伸的第二厚度。所述方法还可包括通过穿过具有所述第二厚度的所述SiC半导体晶圆的所述部分来执行裂解操作来限定裂口。所述裂口可与所述切口对准并延伸到所述SiC半导体晶圆的所述外表面。
本发明授权碳化硅半导体晶圆的切割在权利要求书中公布了：1.一种被配置为分离SiC半导体晶圆中的管芯的系统，包括： 切削装置，其包括： 切削工具，所述切削工具被配置为在所述SiC半导体晶圆的第一表面上在管芯部分之间的间隙中执行切削操作，以产生导致切削的SiC半导体晶圆的切口；和 控制器，所述控制器被配置为控制所述切削工具，使得由所述切削工具产生的所述切口具有穿过所述SiC半导体晶圆的厚度的一部分的指定深度和在所述管芯部分之间的所述间隙中的指定宽度；以及 裂解装置，所述裂解装置被配置为在所述SiC半导体晶圆上已经执行了所述切削操作之后，在所述SiC半导体晶圆的第二表面上对所述切削的SiC半导体晶圆执行裂解操作，以产生导致分离的管芯的裂口，所述第二表面与所述第一表面相对。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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