中国科学院上海技术物理研究所苗金水获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911159B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310062812.8，技术领域涉及：H10F77/169；该发明授权一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法是由苗金水;李唐鑫;胡伟达设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法，属于红外探测技术领域。本发明提供的基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器包括红外探测器基体、源电极和漏电极和封装层；所述红外探测器基体包括依次层叠的聚酰亚胺衬底、栅电极层、栅氧化层和黑磷层；所述源电极和漏电极位于所述黑磷层表面；所述封装层位于所述红外探测器基体的黑磷层一侧、覆盖所述红外探测器基体且裸露出所述源电极和漏电极。在本发明中，聚酰亚胺衬底柔性高，热导率低，在红外光照射下衬底的温度升高，产生热效应增强了光子的散射，从而降低了载流子的迁移率，由此产生的负光电导降低了黑磷晶体管在开态时的电流，显著提高了红外探测器的光响应率。
本发明授权一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器，包括红外探测器基体、源电极、漏电极和封装层； 所述红外探测器基体包括依次层叠的聚酰亚胺衬底、栅电极层、栅氧化层和黑磷层； 所述源电极和漏电极位于所述黑磷层表面； 所述封装层位于所述红外探测器基体的黑磷层一侧、覆盖所述红外探测器基体且裸露出所述源电极和漏电极； 所述栅电极层包括Ti层和Au层，所述Ti层与聚酰亚胺衬底接触；所述栅氧化层的材质为Al2O3； 所述聚酰亚胺衬底的厚度为8～10μm； 所述栅电极层的厚度为30～45nm； 所述栅氧化层的厚度为10～15nm； 所述黑磷层的厚度为10～20nm； 所述源电极和漏电极的厚度为30～50nm； 所述封装层的厚度为10～15nm。
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