长鑫存储技术有限公司周刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115915755B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211449786.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法和半导体结构是由周刘涛;潘烁设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构。该方法包括：提供基底；在基底上形成第一叠层，并在第一叠层中形成多个第一开口；在第一开口的内壁形成栅栏；在第一叠层和栅栏上形成第二叠层；在第二叠层上形成具有电容图案的第一掩膜层；基于电容图案，采用第一蚀刻工艺自第二叠层向靠近基底的方向蚀刻至形成第一电容孔，第一电容孔的底部的侧壁暴露至少部分栅栏；其中，第一蚀刻工艺中，第二叠层和栅栏的蚀刻选择比不同；采用第二蚀刻工艺蚀刻第一掩膜层和位于第一电容孔底部的栅栏，露出基底，以使第一电容孔形成为第二电容孔。本公开的方法使第二电容孔具有高深宽比，提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成第一叠层，并在所述第一叠层中形成多个第一开口； 在所述第一开口的内壁形成栅栏； 在所述第一叠层和所述栅栏上形成第二叠层； 在所述第二叠层上形成具有电容图案的第一掩膜层； 基于所述电容图案，采用第一蚀刻工艺自所述第二叠层向靠近所述基底的方向蚀刻至形成第一电容孔，所述第一电容孔的底部的侧壁暴露至少部分所述栅栏；其中，所述第一蚀刻工艺中，所述第二叠层和所述栅栏的蚀刻选择比不同； 采用第二蚀刻工艺蚀刻所述第一掩膜层和位于所述第一电容孔底部的所述栅栏，露出所述基底，以使所述第一电容孔形成为第二电容孔。
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