西安科技大学侯兆琪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安科技大学申请的专利一种Zr/Mo金属多层膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928028B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211450356.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种Zr/Mo金属多层膜及其制备方法是由侯兆琪;王涛;王彩霞;王佩佩;赵莹莹设计研发完成，并于2022-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Zr/Mo金属多层膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ZrMo金属多层膜，ZrMo金属多层膜为具有择优取向的多层膜，多层膜包括Zr原子层和Mo原子层；Zr原子层与Mo原子层交替分布，Zr原子层与Mo原子层之间有互混，Zr原子层与Mo原子层的层厚相等。该ZrMo金属多层膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1:对单晶Si基体表面进行清洗烘干；步骤2:将基体送入磁控溅射镀膜室，然后抽真空；步骤3:对基体进行离子轰击清洗后，在基体上利用磁控溅射交替沉积ZrMo金属多层膜；步骤4:将步骤3得到的基体进行真空冷却，待腔体温度下降到50℃以下时将溅射得到的试样取出。该发明的技术效果为有效提高了ZrMo金属多层膜的综合力学性能和制备界面结构清晰、组织致密均匀且性能优异。
本发明授权一种Zr/Mo金属多层膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZrMo金属多层膜，其特征在于：所述ZrMo金属多层膜为具有择优取向的多层膜，包括两种不同类型的择优取向，即Zr0002Mo110和ZrMo110；所述多层膜包括Zr原子层和Mo原子层，所述Zr原子层与Mo原子层的层内晶粒为柱状纳米晶； 所述Zr原子层与Mo原子层交替分布，利用磁控溅射交替沉积的方法将Zr靶和Mo靶单独施加直流电源实现交替沉积，Zr和Mo的溅射速率分别为0.2nms和0.32nms，磁控溅射交替沉积中的溅射过程进行持续通入Ar气，沉积气压维持在，沉积过程中对基体施加偏压-65V，通过改变溅射时间调整ZrMo金属多层膜中的单层厚度，ZrMo金属多层膜的总厚度为1.5μm，溅射过程中基体温度随着溅射时间的延长而升高，且不超过100℃，所述Zr原子层与Mo原子层之间有互混，所述Zr原子层与Mo原子层的层厚相等。
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