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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115968584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002651.2，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维存储器装置及其形成方法是由张坤;周文犀;刘威;夏志良;陈亮;王言虹设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器装置及其形成方法在说明书摘要公布了：公开了三维3D存储器装置及其形成方法。在特定方面，3D存储器装置包括第一半导体组件、第二半导体组件以及在第一半导体组件和第二半导体组件之间的组件间键合层。第一半导体组件包括第一阵列结构和第一外围结构。第一阵列结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第一存储器堆叠体。第一外围结构包括电连接到第一存储器堆叠体的多个第一外围电路。第二半导体组件包括第二阵列结构和第二外围结构。第二阵列结构包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第二存储器堆叠体。第二外围结构包括电连接到第二存储器堆叠体的多个第二外围电路。

本发明授权三维存储器装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种三维3D存储器装置，包括： 第一半导体组件，包括： 第一阵列结构，包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第一存储器堆叠体；以及 第一外围结构，包括电连接到所述第一存储器堆叠体的多个第一外围电路； 第二半导体组件，包括： 第二阵列结构，包括具有多个交错的堆叠导电层和堆叠电介质层的第二存储器堆叠体；以及 第二外围结构，包括电连接到所述第二存储器堆叠体的多个第二外围电路；以及 在所述第一半导体组件和所述第二半导体组件之间的组件间键合层， 其中： 所述组件间键合层中的键合触点仅被布置在外围区域中，其中，所述外围区域是在横向方向上位于所述第一存储器堆叠体和所述第二存储器堆叠体之外的区域； 所述第一阵列结构还包括第一掺杂半导体层、垂直延伸穿过所述第一存储器堆叠体的沟道结构、以及垂直延伸穿过所述第一存储器堆叠体但不延伸到所述第一掺杂半导体层中的第一绝缘结构，并且所述第二阵列结构还包括第二掺杂半导体层和垂直延伸穿过所述第二存储器堆叠体但不延伸到所述第二掺杂半导体层中的第二绝缘结构； 所述第一掺杂半导体层横向延伸到所述外围区域，并且所述沟道结构还延伸超过所述第一掺杂半导体层，并且包括与所述第一掺杂半导体层接触的源极触点； 所述沟道结构还包括通过所述第一阵列结构与所述第一外围结构之间的界面触点与所述第一外围结构连接的沟道插塞；并且 所述第一绝缘结构和所述第二绝缘结构关于所述组件间键合层对称，并且所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层介于所述第一绝缘结构与所述第二绝缘结构之间。

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