长鑫存储技术有限公司常庆环获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容耦合等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116053109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310275919.0，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权电容耦合等离子体处理装置是由常庆环;游加加设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容耦合等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种电容耦合等离子体处理装置，包括壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源，壳体具有容置腔，第一电极和第二电极均位于容置腔中且至少部分相对设置，待处理件位于第一电极朝向第二电极的一侧；第一射频偏压源与第一电极电连接，第二射频偏压源与第二电极电连接，第一射频偏压源和第二射频偏压源的频率相等，且间隔半个周期。第二射频偏压源可以阻碍电子朝向第二电极运动，阻碍第二电极附近的电子鞘的形成，以降低电子鞘对阳离子的吸引，提高阳离子朝向第一电极的运动速度。因此，本公开提供的电容耦合等离子体处理装置，能够提高等离子体中的阳离子对待处理件的轰击能力，从而可以提高对待处理件的刻蚀效果。
本发明授权电容耦合等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种电容耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：壳体、第一电极、第二电极、第一射频偏压源和第二射频偏压源，所述壳体具有容置腔，所述第一电极和所述第二电极均位于所述容置腔中且至少部分相对设置，待处理件位于所述第一电极朝向所述第二电极的一侧； 所述第一射频偏压源与所述第一电极电连接，所述第二射频偏压源与所述第二电极电连接，所述第一射频偏压源和所述第二射频偏压源的频率相等、且间隔半个周期； 还包括射频激发源，所述射频激发源与所述第一电极电连接，所述射频激发源的频率大于所述第一射频偏压源的频率； 其中，所述射频激发源为脉冲电源，所述脉冲电源交替输出至少两个脉冲信号，至少两个所述脉冲信号包括第一脉冲信号和第二脉冲信号，所述第一脉冲信号的占空比小于所述第二脉冲信号的占空比。
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