上海集成电路研发中心有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276196.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由刘洋设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成金属互连层及第一介质层，第一介质层中形成若干第一通孔；形成若干第一互连结构，第一互连结构间隔排列且节距为2N，每个第一互连结构覆盖至少填充一个第一通孔以与金属互联层电性连接，N为正数；形成侧墙及若干第二通孔；在相邻的两个侧墙之间形成第二互连结构，第二互连结构与金属互连层电性连接，由第一互连结构及第二互连结构构成节距为N的互连结构。通过先形成节距为2N的第一互连结构，然后以第一互连结构为掩模，于其间自对准形成第二互连结构，由此形成节距为N的互连结构，解决了互连结构难于形成的问题，并降低了工艺难度，提高了制造良率。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上依次形成金属互连层及第一介质层，所述第一介质层中形成有暴露所述金属互连层的若干第一通孔； 形成若干第一互连结构于所述第一介质层上，所述第一互连结构间隔排列且节距为2N，每个所述第一互连结构覆盖所述第一介质层并至少填充一个所述第一通孔以与所述金属互连层电性连接，N为正数； 在所述第一互连结构的侧壁形成侧墙，并刻蚀相邻的两个侧墙之间的第一介质层，形成暴露所述金属互连层的若干第二通孔；以及， 在相邻的两个侧墙之间形成第二互连结构，每个所述第二互连结构覆盖所述第一介质层并至少填充一个所述第二通孔以与所述金属互连层电性连接，其中，由所述第一互连结构及所述第二互连结构构成节距为N的互连结构。
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