中国电子科技集团公司第十三研究所刘兴述获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利砷化镓外延层的制备方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116092924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310080402.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权砷化镓外延层的制备方法及结构是由刘兴述;商耀辉;房玉龙;牛晨亮;陈宏泰设计研发完成，并于2023-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本砷化镓外延层的制备方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种砷化镓外延层的制备方法及结构。该方法包括：在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，打开Ga束流，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；打开P型掺杂源束流，在GaAs缓冲层上生长P型体掺杂GaAs外延层；关断Ga束流，在P型体掺杂GaAs外延层上生长P型平面掺杂层；重复执行“打开Ga束流，在当前P型平面掺杂层上生长新的P型体掺杂GaAs外延层”步骤，以及“关断Ga束流，在当前P型体掺杂GaAs外延层上生长新的P型平面掺杂层”步骤，直到P型体掺杂GaAs外延层的层数达到预设层数时，关断Ga束流和P型掺杂源束流，得到砷化镓外延层结构。本发明能够提高砷化镓P型掺杂浓度。
本发明授权砷化镓外延层的制备方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种砷化镓外延层的制备方法，其特征在于，包括： 在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，并打开Ga束流，在所述GaAs衬底上生长GaAs缓冲层； 打开P型掺杂源束流，在所述GaAs缓冲层上生长P型体掺杂GaAs外延层； 关断所述Ga束流，在所述P型体掺杂GaAs外延层上生长P型平面掺杂层； 重复执行“打开Ga束流，在当前P型平面掺杂层上生长新的P型体掺杂GaAs外延层”步骤，以及“关断所述Ga束流，在当前P型体掺杂GaAs外延层上生长新的P型平面掺杂层”步骤，直到P型体掺杂GaAs外延层的层数达到预设层数时，关断所述Ga束流和所述P型掺杂源束流，得到砷化镓外延层结构；所述砷化镓外延层结构的顶层为P型体掺杂GaAs外延层；所述预设层数的范围为2~21。
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