长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110984556.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由邵光速;肖德元;白卫平;邱云松设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：在基底上形成第一浅沟槽隔离结构。第一浅沟槽隔离结构在基底内隔离出沿第一方向延伸的多个有源区，第一浅沟槽隔离结构包括由下至上依次叠置的牺牲层及第一介质层。在基底内形成多个字线隔离槽，字线隔离槽位于牺牲层的上方，且沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交。在字线隔离槽的侧壁形成第二介质层，第二介质层内侧具有贯通至基底的孔隙。基于所述孔隙，将有源区的下部进行金属化以形成位线，位线沿第一方向延伸。基于所述孔隙，去除牺牲层，以在相邻位线之间形成气隙。所述制备方法能够减小线间寄生电容，有效提升半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上形成第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构在所述基底内隔离出多个有源区，所述有源区沿第一方向延伸；所述第一浅沟槽隔离结构包括由下至上依次叠置的牺牲层及第一介质层； 在所述基底内形成多个字线隔离槽，所述字线隔离槽位于所述牺牲层的上方，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交； 在所述字线隔离槽的侧壁形成第二介质层，所述第二介质层内侧具有贯通至所述基底的孔隙； 基于所述孔隙，将所述有源区的下部进行金属化以形成位线，所述位线沿所述第一方向延伸； 基于所述孔隙，去除所述牺牲层，以在相邻所述位线之间形成气隙。
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