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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110997638.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及制备方法是由刘翔设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及制备方法，半导体结构的制备方法包括：于第一填充介质层的上表面形成第一图形化掩膜层，第一图形化掩膜层包括多个图形单元，各图形单元在衬底上的正投影均横跨位线，且部分位于位线相对的两侧；基于第一图形化掩膜层刻蚀第一填充介质层，以形成刻蚀凹槽；第二填充介质层填满刻蚀凹槽并覆盖第一图形化掩膜层；去除第一图形化掩膜层、第二填充介质层位于第一图形化掩膜层上及位于图形单元之间的部分；去除残留的第一填充介质层，以形成暴露出衬底的多个电容接触孔；于电容接触孔内形成位于位线相对两侧的电容接触结构。此新型半月形的电容接触结构始终保持与有源区具有较大的有效接触面积，极大降低BL寄生电容。

本发明授权半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内有间隔设置的有源区，所述衬底上形成有多条平行间隔排布的位线； 形成第一填充介质层，所述第一填充介质层填满相邻所述位线之间的间隙并覆盖所述位线的顶部； 于所述第一填充介质层的上表面形成第一图形化掩膜层，所述第一图形化掩膜层包括多个图形单元，各所述图形单元在所述衬底上的正投影均横跨所述位线，且部分位于所述位线相对的两侧； 基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述第一填充介质层，以形成刻蚀凹槽，所述刻蚀凹槽露出所述衬底； 形成第二填充介质层，所述第二填充介质层填满所述刻蚀凹槽并覆盖所述第一图形化掩膜层； 去除所述第一图形化掩膜层、所述第二填充介质层位于所述第一图形化掩膜层上及位于所述图形单元之间的部分； 去除残留的所述第一填充介质层，以形成多个电容接触孔，所述电容接触孔暴露出所述衬底；各所述电容接触孔均包括分别位于所述位线相对两侧的第一子接触孔及第二子接触孔； 于所述电容接触孔内形成电容接触结构，所述电容接触结构包括与所述第一子接触孔相对应的第一子接触结构及与所述第二子接触孔相对应的第二子接触结构。

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