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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111006058.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由邵光速;袁盼;吴敏敏设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能较差技术问题，该制作方法包括：提供衬底，衬底包括依次层叠设置的第一半导体材料层、硅锗化合物层和第二半导体材料层；在衬底内形成沿第一方向延伸的第一沟槽和沿第二方向延伸的第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽将衬底分隔成多个间隔设置的柱状结构；对柱状结构进行掺杂，硅锗化合物层形成沟道区；在每个柱状结构的外周面上形成介质层，以及位于介质层的外周面上形成栅极，栅极与至少部分沟道区相对。利用硅锗化合物层形成沟道区，可以提高沟道区中的电子迁移率，并改善短沟道效应，提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括依次层叠设置的第一半导体材料层、硅锗化合物层和第二半导体材料层； 在所述衬底内形成沿第一方向延伸的第一沟槽和沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽将所述衬底分隔成多个间隔设置的柱状结构，所述柱状结构包括所述第二半导体材料层、所述硅锗化合物层和部分所述第一半导体材料层，包括如下步骤： 在所述衬底内形成沿所述第一方向延伸的所述第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第二半导体材料层与所述硅锗化合物层，并延伸至所述第一半导体材料层中；在所述第一沟槽内形成层叠设置的第一绝缘层和牺牲层，所述第一绝缘层的顶面低于所述第一半导体材料层的顶面；刻蚀部分所述衬底和部分所述牺牲层，形成沿所述第二方向延伸的所述第二沟槽，所述第二沟槽暴露所述第一绝缘层； 对所述柱状结构进行掺杂，使得所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层中的一个形成源区，另一个形成漏区，所述硅锗化合物层形成沟道区； 在每个所述柱状结构的外周面上形成介质层，以及位于所述介质层的外周面上形成栅极，所述栅极与至少部分所述沟道区相对。

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