长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111007675.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由邵光速;白卫平;肖德元;邱云松设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构寄生电容较高的技术问题，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底中形成有间隔设置的多个第一沟槽；在每个第一沟槽内形成牺牲层，以及位于牺牲层上的第一保护层，牺牲层和第一保护层填充满第一沟槽，每个第一沟槽内的第一保护层设置有贯穿第一保护层的刻蚀孔；利用刻蚀孔去除牺牲层，形成空气隙；位于相邻的第一沟槽之间且靠近第一沟槽的槽底的衬底进行硅化反应，以在衬底内形成位线，位线的侧表面部分暴露在空气隙内。通过形成空气隙，且位线的部分侧表面暴露在空气隙内，降低了位线之间的结构的介电常数降低，从而降低半导体结构的寄生电容。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，衬底中形成有间隔设置的多个第一沟槽，所述第一沟槽沿第一方向延伸； 在每个所述第一沟槽内形成牺牲层，以及位于所述牺牲层上的第一保护层，所述牺牲层和所述第一保护层填充满所述第一沟槽，每个所述第一沟槽内的所述第一保护层设置有贯穿所述第一保护层的刻蚀孔； 利用所述刻蚀孔去除所述牺牲层，形成空气隙； 刻蚀所述衬底和所述第一保护层，形成多个间隔设置的第二沟槽，所述第二沟槽沿第二方向延伸且与所述空气隙不连通； 在所述第二沟槽的侧壁上形成第二保护层，位于所述第二沟槽内的所述第二保护层围合成第三沟槽； 在所述第三沟槽的槽底沉积金属，退火处理进行硅化反应，以形成位线，所述位线的侧表面部分暴露在所述空气隙内。
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