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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133395B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111079099.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件及其形成方法是由郭帅设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器件及其形成方法，所述存储器件，包括：半导体衬底，半导体衬底中形成有若干有源区，所述若干有源区之间通过沿第一方向延伸的若干第一沟槽、第二沟槽以及沿第二方向延伸的若干第三沟槽分隔开；位于所述第二沟槽的底部以及第二沟槽与第三沟槽连通处底部的半导体衬底中的位线掺杂区；位于所述第一沟槽和第三沟槽中的第一隔离层，所述第一隔离层的表面低于所述有源区的表面；位于所述有源区的表面的环绕所述有源区的栅介质层；位于所述有源区侧壁上的栅介质层表面的环绕所述有源区的金属栅极，所述金属栅极的顶部表面低于所述有源区的顶部表面；位于所述有源区的顶部表面的源区。本发明的存储器件的存储密度得到提升。

本发明授权存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成若干有源区，所述若干有源区之间通过沿第一方向延伸的若干第一沟槽、第二沟槽以及沿第二方向延伸的若干第三沟槽分隔开，所述第一沟槽和第二沟槽与所述的第三沟槽连通，所述第一沟槽与所述第二沟槽在第一方向间隔排列，所述第二沟槽的深度小于第一沟槽的深度，且所述第三沟槽的与所述第二沟槽连通处之外区域的深度大于所述第二沟槽的深度； 在所述第二沟槽的底部以及第二沟槽与第三沟槽连通处底部的半导体衬底中形成位线掺杂区； 在所述第一沟槽和第三沟槽中形成第一隔离层，所述第一隔离层的表面低于所述有源区的表面； 在所述有源区的表面形成环绕所述有源区的栅介质层； 在所述有源区侧壁上的栅介质层表面形成环绕所述有源区的金属栅极，所述金属栅极的顶部表面低于所述有源区的顶部表面； 在所述有源区的顶部表面形成源区； 其中，所述金属栅极的形成过程包括：在所述栅介质层表面以及第一隔离层表面形成金属层；无掩膜刻蚀去除多余的金属层，在所述有源区侧壁的栅介质层表面形成环绕所述有源区的金属栅极。

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