长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111338280.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王晓光;曾定桂;李辉辉;邓杰芳;曹堪宇设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括衬底；晶体管，包括控制端、第一端及第二端；第一端及第二端位于衬底中，控制端位于第一端与第二端之间；第一磁性存储结构，其底电极与晶体管的第一端电连接；第二磁性存储结构，其顶电极与晶体管的第一端电连接，且第一磁性存储结构的底电极与第二磁性存储结构的底电极位于同一层；第一位线，与第一磁性存储结构的顶电极电连接；第二位线，与第二磁性存储结构的底电极电连接；选择线，与晶体管的第二端电连接。该半导体结构无需外部参考信号，读取速度快，读取裕量大，且可靠性较高；同时在制备过程中可以一步工艺同时形成第一磁性存储结构的底电极及第二磁性存储结构的底电极，减少工艺步骤。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底； 晶体管，包括控制端、第一端及第二端；所述第一端及所述第二端位于所述衬底中，所述控制端位于所述第一端与所述第二端之间； 第一磁性存储结构，所述第一磁性存储结构的底电极与所述晶体管的第一端电连接； 第二磁性存储结构，所述第二磁性存储结构的顶电极与所述晶体管的第一端电连接，且所述第一磁性存储结构的底电极与所述第二磁性存储结构的底电极位于同一层； 第一位线，与所述第一磁性存储结构的顶电极电连接； 第二位线，与所述第二磁性存储结构的底电极电连接； 选择线，与所述晶体管的第二端电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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