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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种用于电源管理的MOSFET驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310179309.0，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种用于电源管理的MOSFET驱动电路是由高兴国;季睿;刘凡;杭丽;徐青;雷旭;廖鹏飞;杨丰;蒲林;郭艾;刘婷;曾欣;杨光美;杨凯设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于电源管理的MOSFET驱动电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域，特别涉及一种用于电源管理的MOSFET驱动电路，包括：Vref_LS内部电源模块、缓冲模块、第一反相器组、nmos加速电路、nmos管N1、Vref_HS内部电源模块、电平位移模块、第二反相器组、pmos加速电路和pmos管P1；在常规MOSFET驱动电路的基础上引入nmos加速电路和pmos加速电路，通过nmos加速电路加快nmos管N1的开启速度和Vref_LS内部电源模块的瞬态稳定速度，通过pmos加速电路加快pmos管P1的开启速度和Vref_HS内部电源模块的瞬态稳定速度，提高MOSFET驱动电路的驱动效果。

本发明授权一种用于电源管理的MOSFET驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种用于电源管理的MOSFET驱动电路，其特征在于，所述MOSFET驱动电路包括：Vref_HS内部电源模块、Vref_LS内部电源模块、电平位移模块、缓冲模块、第一反相器组、第二反相器组、nmos加速电路、nmos管N1、pmos加速电路和pmos管P1； 所述缓冲模块用于接收外部的方波信号，并对外部的方波信号进行整形使方波信号的幅度达到预设幅度后发送至第一反相器组、电平位移模块和pmos加速电路； 第一反相器组逐级放大缓冲模块输出的方波信号从而控制nmos管N1的栅极开启关断； Vref_LS内部电源模块用于为pmos加速电路、缓冲模块和第一反相器组提供电源； Vref_HS内部电源模块用于为第二反相器组和nmos加速电路提供电源； 电平位移模块用于根据Vref_LS内部电源模块和Vref_HS内部电源模块的输出信号将缓冲单元输出的方波信号由0～Vref_LS转换为Vref_HS～Vdd并提供给第二反相器组和nmos加速电路； 第二反相器组逐级放大电平位移模块输出的方波信号从而控制pmos管P1的栅极开启关断； nmos加速电路在输入信号下降沿瞬间向Vref_LS内部电源模块和nmos管N1的栅极注入电流进而加快nmos管N1的开启速度和提高Vref_LS内部电源模块的电压瞬态稳定速度； pmos加速电路在输入信号的上升沿瞬间从Vref_HS内部电源模块和pmos管P1的栅极抽取电流进而加快pmos管P1的开启速度和提高Vref_HS内部电源模块的电压瞬态稳定速度； nmos管N1的漏极和pmos管P1的源极相连作为MOSFET驱动电路的输出； nmos管N1的源极接GND；pmos管P1的源极接Vdd。

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