重庆大学;重庆平创半导体研究院有限责任公司郑博风获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学;重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利一种沟槽MOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223641.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法是由郑博风;陈显平设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，其中器件包括N型衬底，N型衬底从下至上依次具有N型外延、两个Pwell区，两个Pwell区分别位于N型外延顶部的两侧；Pwell区内具有N+区和第一P+区，N+区和第一P+区位于Pwell区的顶部；两个Pwell区之间还具有两个倒梯形沟槽，倒梯形沟槽的一条斜边与对应的Pwell区和N+区接触；倒梯形沟槽内沉积有栅氧层；倒梯形沟槽内还具有多晶硅栅极区，多晶硅栅极区靠近对应的Pwell区和N+区；倒梯形沟槽外还具有第二P+区；第二P+区之间具有肖特基接触区；第一P+区和N+区顶部具有源极欧姆接触区，N型衬底的底部具有漏极欧姆接触区。采用本发明的技术方案能够提高器件的可靠性、降低功耗。
本发明授权一种沟槽MOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括N型衬底，N型衬底从下至上依次具有N型外延、两个Pwell区，两个Pwell区分别位于N型外延顶部的两侧；Pwell区内具有N+区和第一P+区，N+区和第一P+区位于Pwell区的顶部； 两个Pwell区之间还具有两个倒梯形沟槽，倒梯形沟槽的一条斜边与对应的Pwell区和N+区接触；倒梯形沟槽内沉积有栅氧层；倒梯形沟槽内还具有多晶硅栅极区，多晶硅栅极区靠近对应的Pwell区和N+区； 倒梯形沟槽外还具有第二P+区，第二P+区包裹倒梯形沟槽的底边以及远离对应的Pwell区和N+区的斜边； 第二P+区之间具有肖特基接触区； 第一P+区和N+区顶部具有源极欧姆接触区，N型衬底的底部具有漏极欧姆接触区。
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