西安理工大学胡继超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310335415.3，技术领域涉及：H10F10/164；该发明授权基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法是由胡继超;张子涵;贺小敏;孟佳琦;张奇设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于p型硅基底的TOPCon光伏电池，包括p型硅片，p型硅片背面由近到远依次设置有隧穿层、p型CuAlO2层、背电极；p型硅片正面由近到远依次设置有n型β‑Ga2O3层、钝化层、减反层；n型β‑Ga2O3层上设置有一对顶电极，两个顶电极依次贯穿钝化层和减反层且伸出减反层外部。本发明解决了现有技术中存在的因B‑O带来的复合缺陷导致的p‑TOPCon钝化质量差和光捕获能力差所引起的电池光电转换效率低的问题。
本发明授权基于p型硅基底的TOPCon光伏电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于p型硅基底的TOPCon光伏电池，其特征在于，包括p型硅片8，p型硅片8背面由近到远依次设置有隧穿层1、p型CuAlO2层2、背电极3；p型硅片正面由近到远依次设置有n型β-Ga2O3层4、钝化层5、减反层6；n型β-Ga2O3层4上设置有一对顶电极7，两个顶电极7依次贯穿钝化层5和减反层6且伸出减反层6外部，所述p型硅片8的厚度为100μm~200μm，电阻率为0.1Ω·cm~5Ω·cm，所述隧穿层1的材料为SiO2、Al2O3或SiC中的一种，厚度为1nm~3nm；所述p型CuAlO2层2厚度为100nm~200nm；所述n型β-Ga2O3层4为掺杂Sn、Si、Al其中一种的β-Ga2O3-201晶面、β-Ga2O3001晶面或β-Ga2O3010晶面材料，掺杂浓度为1018~1020cm~3，厚度为50nm~200nm；所述钝化层5的材料为Al2O3，厚度为5nm~20nm，所述减反层6的材料为Si3N4或Si2N2O中的一种，厚度为60nm~150nm。
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