杭州富芯半导体有限公司李贤获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116254519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211734989.X，技术领域涉及：C23C16/38；该发明授权硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件是由李贤设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种硼磷硅玻璃介电层制备方法、沉积设备、硼磷硅玻璃介电层、半导体器件及电子设备，采用沉积设备利用化学气相沉积方式在晶圆表面形成硼磷硅玻璃薄膜，并且直接在形成硼磷硅玻璃膜的设备中直接进行高温加热干燥，显著提高介质层性能，在形成硼磷硅玻璃薄膜后无需额外的高温加热设备，避免引入热预算，有效节约设备成本，并且可以避免转运过程带来的污染风险等。向沉积设备中通入第一气体和第二气体保持第一设定时间，向沉积设备中通入干燥气流通过沉积设备的出气口带出硼磷硅玻璃薄膜表面的水分，并向沉积设备中通入四乙氧基硅烷和氧气，在硼磷硅玻璃薄膜表面进行USG的沉积。
本发明授权硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种硼磷硅玻璃介电层制备方法，其特征在于，所述方法包括： 采用沉积设备，利用化学气相沉积方式在晶圆表面形成硼磷硅玻璃薄膜； 采用所述沉积设备将所述晶圆加热至设定温度，并向所述沉积设备中通入第一气体和第二气体保持第一设定时间，所述第一气体用于吸收形成所述硼磷硅玻璃薄膜过程中残留的氢原子，所述第二气体为惰性气体； 向所述沉积设备中通入干燥气流通过所述沉积设备的出气口带出所述硼磷硅玻璃薄膜表面的水分； 向所述沉积设备中通入四乙氧基硅烷和氧气，在硼磷硅玻璃薄膜表面进行USG的沉积； 在所述向所述沉积设备中通入干燥气流通过所述沉积设备的出气口带出所述硼磷硅玻璃薄膜表面的水分之后，所述方法还包括： 向所述沉积设备中通入干燥的所述第二气体和第三气体保持第三设定时间，所述第三设定时间小于所述第二设定时间，所述第三气体用于在所述晶圆表面形成非极性的疏水层，改变所述晶圆的表面态。
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