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龙图腾网获悉福建闽航电子有限公司申请的专利一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313823B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211665348.3，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法是由林智杰;张南菊;常发;王羽;戴品强;傅建树设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法，所述方法包括有准备生瓷片，生瓷片依次分为为底片大板、中片大板和上片大板；分别对上片大板和中片大板进行冲孔处理；在第一中片单元上印刷金属线路；对第二中片单元进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层；将经过步骤S3处理的第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理；将第一中片单元和瓷片层通过定型层压板压合成中片大板；按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体；将坯体分切成m个坯体单元；对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。通过本发明的制造方法，能够制造出带V型腔体的陶瓷外壳，从而增加了光耦合器的受光面积。

本发明授权一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法，其特征在于：包括有如下步骤： S1、准备生瓷片，并按照叠放的先后顺序，将生瓷片依次分为底片大板、中片大板和上片大板；所述中片大板包括有一个第一中片单元和n个第二中片单元； S2、分别对上片大板、第一中片单元和第二中片单元进行冲腔处理，在上片大板上冲出第一腔体，在第一中片单元上冲出第二腔体，在第二中片单元上冲出第三腔体； S3、第一中片单元上印刷金属线路； S4、n个第二中片单元叠放后进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层； S5、将第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理； S6、将瓷片层和经过步骤S5处理的第一中片单元通过定型层压板压合成带V型腔体的中片大板； S7、按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体； S8、将坯体分切成m个坯体单元； S9、对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。

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