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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310211027.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法是由王路宇;张鹏浩;徐敏;潘茂林;王强;黄自强;谢欣灵;黄海;徐赛生;王晨;张卫设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaNHEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaNHEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaNHEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。

本发明授权一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaNHEMT结构，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，形成于所述衬底上； PN结，形成于所述缓冲层上，且所述PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，所述N型掺杂区形成于部分所述P型掺杂区的表层，且所述P型掺杂区包裹所述N型掺杂区； 分隔层，形成于所述PN结上，且覆盖所述P型掺杂区与所述N型掺杂区； 凹栅增强型GaNHEMT器件，形成于所述分隔层上；且所述凹栅增强型GaNHEMT器件包括在所述分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；所述势垒层上开设有第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述势垒层，所述第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且所述栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；且所述源极、所述栅极以及所述漏极之间的空隙中填充有钝化层； 阳极以及阴极，所述阳极与P型掺杂区电性连接，且所述阳极电性连接至所述源极；所述阴极与N型掺杂区电性连接，且所述阴极电性连接至所述漏极； 其中，所述N型掺杂区覆盖所述漏极下方的区域，且延伸至所述栅极下方的区域。

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