中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310329221.2，技术领域涉及：H10F30/22；该发明授权太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法是由张凯;阳柳;张严;李杰;董卓;俞强设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法，太赫兹探测器包括：衬底，沟道材料层以及电极。所述沟道材料层设置在所述衬底上，所述沟道材料层中的沟道材料包括进行元素插层的过渡金属硫族化合物；所述电极与所述沟道材料层相接触。本发明的太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法，通过对过渡金属硫族化合物进行元素插层，以对过渡金属硫族化合物的能带结构，物理性质和载流子输运特性进行改性，将其应用于太赫兹探测器，可以实现高性能的太赫兹探测，是一种简单易行的方式。
本发明授权太赫兹探测器及太赫兹探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹探测器，其特征在于，包括： 衬底； 沟道材料层，所述沟道材料层设置在所述衬底上，所述沟道材料层中的沟道材料包括进行元素插层的过渡金属硫族化合物； 电极，与所述沟道材料层相接触； 所述的进行元素插层的过渡金属硫族化合物的化学式为PiMX2，其中，P为插层元素，M为过渡金属元素，X为硫族元素； 所述插层元素选自金属或非金属元素；所述过渡金属元素选自：Nb或Ta；所述硫族元素选自：S或Se；所述插层元素选自：Ni、Co、Mn、V、Cr、Ge或In； 其中，进行元素插层的过渡金属硫族化合物采用化学气相输运方法制备：在真空环境内，将插层元素P、过渡金属元素M和硫族元素X按化学计量比于850-900℃下逆温生长三天，得到多晶颗粒；将所述多晶颗粒在950-830℃下正向生长七天，后将温度降至环境温度，得到PiMX2晶体。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励