之江实验室林高波获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219281.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器是由林高波;玉虓设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器。铁电场效应晶体管的制备方法包括以下步骤：在基底上形成氧化物半导体层，氧化物半导体层包括沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区；在沟道区上形成铁电材料层，在铁电材料层上形成顶栅极；形成金属反应层以覆盖源区、漏区和顶栅极；在氧化性气氛中，于300℃～600℃下退火，诱导铁电材料层形成铁电相，得铁电介质层，并使源区和漏区的氧元素被金属反应层夺取，得导体化源区和导体化漏区；并使金属反应层自发氧化，得钝化层；在钝化层中形成源极和漏极。该法通过一次退火实现诱导铁电材料层形成铁电相、促使源漏区导体化和淀积钝化层的功能，制得高性能和高耐久性的器件。
本发明授权铁电场效应晶体管及其制备方法和铁电存储器在权利要求书中公布了：1.一种铁电场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在基底上形成氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区； 在所述沟道区上形成铁电材料层，在所述铁电材料层上形成顶栅极； 形成金属反应层以覆盖所述源区、所述漏区和所述顶栅极； 在氧化性气氛中，于300℃～600℃下退火，诱导所述铁电材料层形成铁电相，得铁电介质层，并使所述源区和所述漏区的氧元素被所述金属反应层夺取，得导体化源区和导体化漏区，并使所述金属反应层自发氧化，得钝化层； 在所述钝化层中形成源极和漏极。
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