浙江萃锦半导体有限公司李鎔碩获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江萃锦半导体有限公司申请的专利一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344347B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310513371.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法是由李鎔碩;马利奇;金秉燮;李旻姝;訾夏雪设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法，属于半导体器件技术领域，能够通过在SIC外延层表面形成沟槽并在沟槽底部和侧壁生长栅极氧化膜，在形成的栅极氧化膜上沉积多晶硅薄膜且对沟槽底部多晶硅膜进行刻蚀并在多晶硅薄膜上沉积Nitride，再通过刻蚀沟槽Nitride并在刻蚀掉Nitride的多晶硅上生长氧化层，然后通过去除剩余的Nitride并在此基础上涨一层多晶硅以形成减小Cgd的新的器件结构方法的方式，实现避免Cgd过大、减慢器件开关速率以及降低器件损耗的技术效果。
本发明授权一种提升沟槽型SIC MOSFET器件开关速度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升沟槽型SICMOSFET器件开关速度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在SIC外延层表面形成沟槽； S2、沟槽底部和侧壁生长栅极氧化膜； S3、在栅极氧化膜上沉积多晶硅薄膜，并且对沟槽底部多晶硅薄膜进行刻蚀； S4、在刻蚀后的多晶硅薄膜上沉积氮化物； S5、刻蚀沟槽底部氮化物； S6、在刻蚀掉氮化物的沟槽底部生长氧化层； S7、去除剩余的氮化物； S8、在完成S7的操作后在沟槽内长一层多晶硅； 其中，所述多晶硅薄膜厚度为100~300，在所述多晶硅薄膜上沉积的氮化物的厚度为500~510。
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