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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116470267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310633891.3，技术领域涉及：H01Q1/36；该发明授权小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线是由王文磊;罗国清;金华燕;俞伟良设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线在说明书摘要公布了：本发明公开小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线。本发明通过激励高阶腔模实现所需性能，再利用半腔技术缩减尺寸。两个长缝隙位于电场最强位置，并用腔体C的长边通孔壁封堵，从而激励half‑TE120模式；腔体C内设置一对金属化通孔VT，将腔体C分成左右两个半腔，两个半腔同时激励起half‑TE110模式；左右两个half‑TE110模式相位相反，由长缝隙SR产生的辐射发生抵消，从而在低频引入辐射零点。本发明天线辐射性能优异且具备额外的滤波特性。滤波特性的实现既不依赖于额外的滤波电路，也不需要加载寄生滤波结构，因此具备低损耗特性。本发明用简单小巧的平面天线结构实现宽带、高增益和高频率选择性。

本发明授权小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线在权利要求书中公布了：1.小型化宽带高增益毫米波腔馈平面滤波天线，包括： 上层介质基板S1； 下层介质基板S2； 上层金属面P，其覆盖在上层介质基板S1的上表面； 中层金属面M1，其覆盖在上层介质基板S1的下表面和下层介质基板S2的上表面； 下层金属面M2，其覆盖在下层介质基板S2的下表面； 其特征在于： 所述上层金属面P采用微带贴片； 所述中层金属面M1上蚀刻有两条长缝隙SR；所述两条长缝隙SR关于上层金属面P长度向中心线轴对称设置；所述两条长缝隙SR分别位于基片集成腔体C的两条长边通孔壁上； 所述下层介质基板S2内设有一个由贯穿所述下层介质基板S2的周期性金属化通孔V及中层金属面M1、下层金属面M2围成的基片集成腔体C；在所述基片集成腔体C内部有一对金属化通孔VT和一个用于加载SMA的非金属化通孔VP； 所述金属化通孔VT与其距离较远的基片集成腔体C长边通孔壁的距离dvy满足0.51Wc≤dvy≤0.53Wc，其中Wc为基片集成腔体C的宽度； 所述下层金属面M2上蚀刻有一用于SMA馈电用的圆孔。

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