中国人民解放军陆军工程大学王丹萍获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军陆军工程大学申请的专利一种Cu掺杂的Ag薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116676567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310671912.0，技术领域涉及：C23C14/18；该发明授权一种Cu掺杂的Ag薄膜及其制备方法和应用是由王丹萍;王庆国;曲兆明;程二威设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Cu掺杂的Ag薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Cu掺杂的Ag薄膜及其制备方法和应用，属于电磁防护材料技术领域。本发明提供的Cu掺杂的Ag薄膜中Cu掺杂的浓度≤10mol％，所述Cu掺杂的Ag薄膜的厚度为5～20nm。本发明通过在银膜中掺杂铜，能够抑制银膜的3D生长，促进银膜的平面生长，从而形成均匀连续的超薄银膜；通过控制Cu掺杂的Ag薄膜的厚度以及Cu掺杂的浓度，可以使Cu‑Ag薄膜同时兼具较高的透光性和屏蔽效能。实施例的结果显示，采用本发明的Cu‑Ag薄膜制备的超薄透明电磁屏蔽薄膜兼具较高的透光性和屏蔽效能，可见光透过率高达79.2％以上，屏蔽效能在20MHz至5GHz范围可高达36.8dB以上。
本发明授权一种Cu掺杂的Ag薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Cu掺杂的Ag薄膜的制备方法，由以下步骤组成： 1对衬底进行亲水性处理，得到改性衬底； 2以银靶和铜靶作为溅射靶材，通过磁控共溅射在所述步骤1得到的改性衬底上制备Cu-Ag膜，得到Cu掺杂的Ag薄膜； 所述步骤1中的衬底为SiO2玻璃衬底；所述步骤1中亲水性处理的方式包括：采用盐酸溶液对衬底进行超声处理；所述盐酸溶液由浓盐酸和去离子水混合而成；所述浓盐酸的浓度为12molL；所述浓盐酸和去离子水的体积比为1：9～11； 所述步骤2中磁控共溅射时银靶的溅射功率为200～300W，铜靶的溅射功率为80～180W； 所述Cu掺杂的Ag薄膜中Cu掺杂的浓度≤10mol％，所述Cu掺杂的Ag薄膜的厚度为5～20nm。
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